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申请/专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
摘要：本发明公开了一种抑制SiC背部升华的籽晶粘接工艺，包括在籽晶背面和石墨烯膜的第一面通过旋涂法涂敷粘接胶水，随后将胶膜烘干；进行第一次真空热压处理；在圆片式籽晶托和所述石墨烯膜的第二面通过旋涂法涂敷粘接胶水，随后将胶膜烘干；进行第二次真空热压处理，在籽晶和籽晶托之间形成碳化膜石墨烯膜碳化膜多层复合材料，得到SiC籽晶粘结片；使用尺寸匹配的石墨环封装所述SiC籽晶粘结片，完成粘结工艺；本发明通过热压处理在籽晶和籽晶托之间形成碳化膜石墨烯膜碳化膜多层复合材料，再配合石墨环的封装处理，解决了SiC生长背部升华问题，籽晶粘接的成功率以及SiC晶体品质均得到提升。
主权项：1.一种抑制SiC背部升华的籽晶粘接工艺，其特征在于包括以下步骤：1在籽晶背面和石墨烯膜的第一面通过旋涂法涂敷粘接胶水，随后将胶膜烘干；2将籽晶背面和石墨烯膜的第一面烘干的胶膜面对面放置，进行第一次真空热压处理；3在圆片式籽晶托和所述石墨烯膜的第二面通过旋涂法涂敷粘接胶水，随后将胶膜烘干；4将圆片式籽晶托和所述石墨烯膜的第二面烘干的胶膜面对面放置，进行第二次真空热压处理，在籽晶和籽晶托之间形成碳化膜石墨烯膜碳化膜多层复合材料，得到SiC籽晶粘结片；5使用尺寸匹配的石墨环封装所述SiC籽晶粘结片，完成粘结工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长飞光纤光缆股份有限公司 一种抑制SiC背部升华的籽晶粘接工艺
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