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申请/专利权人：通威微电子有限公司
摘要：本发明实施例提供了一种可防止预先升华的硅氛沉积的碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该碳化硅晶体生长装置包括：坩埚本体、坩埚盖、籽晶托、籽晶、导流罩以及碳化硅衬底片。其中，坩埚盖可拆卸地连接于坩埚本体的顶部，并与坩埚本体共同形成原料腔。籽晶托设置于坩埚盖的内侧壁。籽晶固定连接于籽晶托。导流罩设置于原料腔内，导流罩的顶端罩设于籽晶外，导流罩的底端具有导流口。碳化硅衬底片设置于导流罩的底端，用于封闭导流口，并能够随坩埚本体内温度升高而发生熔化并掉落，从而打开导流口。该碳化硅晶体生长装置能够避免预先升华的硅氛对籽晶上生长的碳化硅质量造成不良影响，保证了籽晶上生长的碳化硅晶体质量。
主权项：1.一种可防止预先升华的硅氛沉积的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚本体（100）；坩埚盖（200），所述坩埚盖（200）可拆卸地连接于所述坩埚本体（100）的顶部，并与所述坩埚本体（100）共同形成原料腔（110）；籽晶托（300），所述籽晶托（300）设置于所述坩埚盖（200）的内侧壁；籽晶（400），所述籽晶（400）固定连接于所述籽晶托（300）；导流罩（500），所述导流罩（500）设置于所述原料腔（110）内，所述导流罩（500）的顶端罩设于所述籽晶（400）外，所述导流罩（500）的底端具有导流口（510）；以及，碳化硅衬底片（600），所述碳化硅衬底片（600）设置于所述导流罩（500）的底端，用于封闭所述导流口（510），并能够随所述坩埚本体（100）内温度升高而发生熔化并掉落，从而打开所述导流口（510）。
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百度查询： 通威微电子有限公司 可防止预先升华的硅氛沉积的碳化硅晶体生长装置
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