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申请/专利权人：法国原子能及替代能源委员会;国家科学研究中心;格勒诺布尔阿尔卑斯大学;格勒诺布尔工程学院
摘要：本发明的一个目的是一种电阻式存储器单元（1），包括：‑下电极（2），基于以下材料之一：氮化钛TiN、氮化钽TaN、钽Ta、铜Cu、钨W、铂Pt、金Au或银Ag，‑上电极（4），‑活性层（3），其具有与下电极的第一接触表面（S1）以及与上电极的第二接触表面（S2），所述活性层（3）包括被称为局部区域（5）的区域，所述局部区域由包括钒、氧和Ti或Ta或Cu或W或Pt或Au或Ag的材料制成，所述局部区域从第一接触表面（S1）延伸，活性层的其余部分由导电氧化钒制成。
主权项：1.一种电阻式存储器单元（1），包括：-下电极（2），其基于以下材料之一：氮化钛TiN、氮化钽TaN、钽Ta、铜Cu、钨W、铂Pt、金Au或银Ag，-上电极（4），-活性层（3），所述活性层（3）具有与下电极的第一接触表面（S1）以及与上电极的第二接触表面（S2），所述活性层（3）包括区域，称为局部区域（5），如果下电极的材料是TiN则所述局部区域由包括钒、氧和Ti的材料制成，或者如果下电极的材料是TaN或者Ta，则为Ta，或者如果下电极的材料是Cu，则为Cu，或者如果下电极的材料是W，则为W，或者如果下电极的材料是Pt，则为Pt，或者如果下电极的材料是Au，则为Au，或者如果下电极的材料是Ag，则为Ag，所述局部区域从第一接触表面（S1）延伸，活性层的其余部分由导电氧化钒制成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 法国原子能及替代能源委员会 国家科学研究中心 格勒诺布尔阿尔卑斯大学 格勒诺布尔工程学院 电阻式存储器单元
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