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梯度稀释芯片及其稀释方法 

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申请/专利权人:上海大学;上海前瞻创新研究院有限公司

摘要:本发明提供一种梯度稀释芯片及其稀释方法,包括芯片上层、永磁体层和芯片下层;所述芯片上层表面灌注有油基铁磁流体,所述油基铁磁流体用于驱动待稀释液滴;所述芯片下层采用PCB板,所述PCB板上设置有电磁线圈阵列,所述电磁线圈阵列用于产生磁场力驱动所述油基铁磁液滴,以对所述待稀释液滴进行梯度稀释;所述永磁体层用于增强所述磁场力。本发明的梯度稀释芯片及其稀释方法能够实现目标溶液的全自动梯度稀释,且稀释精度高。

主权项:1.一种梯度稀释芯片,其特征在于,包括芯片上层、永磁体层和芯片下层;所述芯片上层表面灌注有油基铁磁流体,所述油基铁磁流体用于驱动待稀释液滴;所述芯片下层采用PCB板,所述PCB板上设置有电磁线圈阵列,所述电磁线圈阵列用于产生磁场力驱动所述油基铁磁液滴,以对所述待稀释液滴进行梯度稀释;所述永磁体层用于增强所述磁场力。

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权利要求:

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