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申请/专利权人:深圳市华盛顿光电有限公司
摘要:本发明提供一种圆弧形LED芯片结构及制备方法,属于LED芯片结构领域。本发明圆弧形LED芯片结构包括外延结构,所述外延结构包括设置在所述外延结构表面的正极性层和负极性层,还包括设置在所述正极性层或负极性层上方的透明导电层,还包括分别设置在所述外延结构及透明导电层上的两个扩展电极,还包括覆盖所述外延结构、扩展电极及透明导电层的反射绝缘层,所述反射绝缘层与所述扩展电极对应位置设有窗口,所述圆弧形LED芯片结构还包括设置在所述反射绝缘层上与扩展电极相连的键合电极。本发明的有益效果为:能够实现圆弧形LED芯片结构的自动化量产,有效提升制备效率。
主权项:1.一种圆弧形LED芯片结构,其特征在于:包括外延结构,所述外延结构包括设置在所述外延结构表面的正极性层和负极性层,还包括设置在所述正极性层或负极性层上方的透明导电层,还包括分别设置在所述外延结构及透明导电层上的两个扩展电极,还包括覆盖所述外延结构、扩展电极及透明导电层的反射绝缘层,所述反射绝缘层与所述扩展电极对应位置设有窗口,所述圆弧形LED芯片结构还包括设置在所述反射绝缘层上与扩展电极相连的键合电极。
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