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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种可变叠层电容结构及其制造方法，所述可变叠层电容结构，包括：第一电容层，其形成在有源区上的介质层中；金属栅，其形成在第一电容层上的介质层中；第二电容层，其由高阻层和金属栅之间的介质层形成；高阻层，其形成在第二电容层上的介质层中；金属栅、高阻层和有源区分别通过接触孔连接至介质层上的金属层形成三个端口。本发明可变叠层电容结构及其制造方法能采用现有工艺实现，不需要改变制程，也不需要增加光罩，不会增加生产成本。只需要在版图设计时对高阻层光罩进行修改，通过调整高阻层和金属栅之间ILD的厚度d1即可实现电容值可调，可获得所需不同电容值的可变叠层电容，且不改变层间寄生电容，与现有工艺及器件兼容性好。
主权项：1.一种可变叠层电容结构，其特征在于，包括：第一电容层，其形成在有源区上的介质层中；金属栅，其形成在第一电容层上的介质层中；第二电容层，其由高阻层和金属栅之间的介质层形成；高阻层，其形成在第二电容层上的介质层中；金属栅、高阻层和有源区分别通过接触孔连接至介质层上的金属层形成三个端口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 可变叠层电容结构及其制造方法
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