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申请/专利权人：深南电路股份有限公司
摘要：本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种功率芯片封装结构及其制备方法、印制电路板组件。本发明的功率芯片封装结构的制备方法先将功率芯片固定在具有框架导电部和框架散热部的金属框架中，并利用第一介质层将框架导电部、框架散热部和功率芯片之间相互绝缘，并将功率芯片封装结构的三个电极制备在功率芯片封装结构的同一侧，本发明的制备方法，将功率芯片的电极通过框架导电部引至共面电极侧与功率芯片封装结构的共面电极连接，无需额外引入引线对芯片进行键合，降低封装的寄生电感的同时，极大的减小了功率芯片封装结构的体积，同时，本发明的制备方法设置了用于功率芯片散热的框架散热部，显著提升了功率芯片封装结构的散热性能。
主权项：1.一种功率芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一带有第一贯通槽的金属板，在所述金属板上形成金属框架，所述金属框架包括框架导电部和预设形状的框架散热部；在所述金属框架中固定功率芯片，得到固定好功率芯片的金属板；在固定好功率芯片的金属板表面制备第一介质层，所述第一介质层使得所述框架导电部、所述框架散热部和所述功率芯片之间相互绝缘，得到制备好第一介质层的功率芯片封装结构；在制备好第一介质层的功率芯片封装结构上制备共面的第一电极、第二电极和第三电极，所述共面的第一电极、第二电极和第三电极用于与所述功率芯片的电极电性连接，得到功率芯片封装结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深南电路股份有限公司 一种功率芯片封装结构及其制备方法、印制电路板组件
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