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申请/专利权人：湖北第二师范学院
摘要：一种利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构及方法。该封装结构及方法可以实现CIS芯片与其他种类芯片晶圆级封装。1利用HybridBonding键合技术进行键合，该技术能够实现更高密度触点连接在1×1cm的芯片内，能够制作出超过一百万的触点和更小接点间距连接间距可以微缩到1微米以下。2将CIS芯片与其他种类芯片集成，实现高性能、低功耗、小型化、异质工艺集成、低成本的系统集成电子产品的制备。3整个封装流程为晶圆级封装，封装效率高、成本低、产能大。
主权项：1.一种利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的方法，其特征在于：包括如下步骤:S1，对晶圆级CIS芯片表面进行清洁处理；S2，在晶圆级CIS芯片正面形成粘贴膜层和玻璃层；S3，对晶圆级CIS芯片背面进行减薄处理并形成非键合层；S4，在晶圆级CIS芯片背面形成导电通孔结构；S5，在晶圆级CIS芯片背面形成导电结构；S6，对第二类晶圆级芯片正面进行清洁处理并粘贴保护膜层；S7，对第二类晶圆级芯片背面进行减薄处理并形成非键合层；S8，在第二类晶圆级芯片背面形成导电通孔结构；S9，在第二类晶圆级芯片背面形成导电结构；S10，将晶圆级CIS芯片和第二类晶圆级芯片键合在一起；S11，拆除第二类晶圆级芯片正面保护膜层；S12，在键合后晶圆上形成第一层绝缘层；S13，在键合后晶圆上形成第一层金属重布线层；S14，在键合后晶圆上形成第二层绝缘层；S15，在键合后晶圆上形成第二层金属重布线层；S16，在键合后晶圆第二层金属重布线层上植球；S17，切割得到单颗Die。
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权利要求：
百度查询： 湖北第二师范学院 减小板级扇出型封装芯片偏移量的凹槽型封装结构及方法
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