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一种单晶硅抛光碱刻蚀添加剂及其应用 

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申请/专利权人:常州君合科技股份有限公司

摘要:本发明涉及光伏材料制备技术领域,尤其涉及一种单晶硅抛光碱刻蚀添加剂,其各组分的质量百分含量为:维生素E为0.8%~1.5%,碘酸钠为0.4%~2%,葡萄糖酸钠为1%~3%,苹果酸为0.1%~0.2%,聚乙烯吡咯烷酮为0.01%~0.04%,羧甲基纤维素钠0.2%~0.5%,余量为水,本发明中提供了一种碱抛光刻蚀液添加剂,由于在碱抛腐蚀体系中存在同向腐蚀,腐蚀过程会产生张力的影响,张力的影响是固定常数,因此,在反应体系中加入表面活性剂,可以降低界面的表面张力,使润浸角减小,从而提高硅片的润湿性,随着表面活性剂的加入,腐蚀反应所产生的气泡就会更加快速的离开硅片表面,从而使单晶硅表面产生结构更加均匀的腐蚀台阶结构。

主权项:1.一种单晶硅抛光碱刻蚀添加剂,其特征在于,其制备方法包括以下步骤:将质量百分比为0.8%~1.5%的维生素E,0.4%~2%的碘酸钠,1%~3%的葡萄糖酸钠,0.1%~0.2%的苹果酸,0.01%~0.04%的聚乙烯吡咯烷酮,0.2%~0.5%的羧甲基纤维素钠,加入到余量的水中,控制温度105~115℃保温回流18~22小时,然后用氢氧化钾溶液将混合液调整为pH6~8,得到单晶硅抛光碱刻蚀添加剂;所述羧甲基纤维素钠的分子量为400~800。

全文数据:

权利要求:

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