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申请/专利权人：无锡舜铭存储科技有限公司
摘要：本发明提供了一种3D闪存存储器及其控制器结构，其包括主机接口单元、逻辑控制电路单元、存储器接口单元、ECC单元以及缓冲存储器单元，其特征在于：所述缓冲存储器单元为三维铁电存储器单元或磁存储器单元。
主权项：1.一种3D闪存存储器的控制器结构，其包括主机接口单元、逻辑控制电路单元、存储器接口单元、ECC单元以及缓冲存储器单元，其特征在于：所述缓冲存储器单元为三维铁电存储器单元或磁存储器单元，其中所述缓冲存储器还包括形成于三维铁电电容或磁存储单元上方的覆盖存储单元区和控制电路区的介质层，在介质层中形成有键合金属层，其中所述3D闪存存储器包括堆叠设置的3D闪存存储单元阵列、位于3D闪存存储单元阵列表面的氮化物层和与3D闪存存储单元阵列连接的键合金属层，其中3D闪存存储单元阵列和所述控制器通过3D整合连接结构相互连接，所述3D闪存存储单元阵列表面的氮化物层与3D闪存存储器的控制器结构的介质层键合，所述3D闪存存储单元阵列的键合金属层与3D闪存存储器的控制器结构的缓冲存储器的控制电路区的键合金属层键合。
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百度查询： 无锡舜铭存储科技有限公司 3D闪存存储器及其控制器结构
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