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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及一种制备纳米图形的方法，属于纳米图形技术领域，解决了现有的纳米图形制备方法需要昂贵的设备投入和复杂的工艺要求的问题。所述方法包括：在衬底上涂覆牺牲层，在牺牲层上涂覆光刻胶层；在产品上制备微米级图形，通过控制显影时间把牺牲层的缺陷控制到纳米级；在图形化好的产品上斜入射整层生长所需要的材料，使生长的材料能够进入牺牲层的缺陷处；材料生长结束后，去除在牺牲层缺陷处之外生长的材料；剥离掉光刻胶层和牺牲层，形成纳米图形。本发明的方法避免了昂贵的设备投入和复杂的工艺要求，制备条件简单、成本低，不需要复杂的设备，易于操作，适用于规模化产业应用制作大面积纳米图形。
主权项：1.一种制备纳米图形的方法，其特征在于，所述方法包括：a在衬底上涂覆牺牲层，在牺牲层上涂覆光刻胶层；b在产品上制备微米级图形，通过控制显影时间把牺牲层的缺陷控制到纳米级；牺牲层的厚度与形成的缺陷宽度的比值为1：1；c在图形化好的产品上斜入射整层生长所需要的材料，使生长的材料能够进入牺牲层的缺陷处；d材料生长结束后，去除在牺牲层缺陷处之外生长的材料；e剥离掉光刻胶层和牺牲层，形成纳米图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种制备纳米图形的方法
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