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申请/专利权人：上海稷以科技有限公司
摘要：本发明提出了一种减小晶圆表面粗糙度的方法，包括：步骤1、将晶圆置于刻蚀反应腔体内，并设置腔室压力为10mt‑1000mt、射频功率范围200W‑1000W、底座温度为50‑300℃；步骤2、向等离子体产生腔体内通入主刻蚀气体、C4F8以及调节气体，刻蚀气体、C4F8以及调节气体经射频发生器后在反应腔室内分别形成等离子体；其中，C4F8经射频发生器后形成聚合物，吸附在钨表面从而填充到凹陷区域，使得表面平整度得到改善；主刻蚀气体经射频发生器后分解产生的F自由基与钨反应生成具有挥发性的副产物WFx以实现刻蚀。本发明采用边沉积边刻蚀的工艺方法，用以改善钨CVD后晶圆表面的粗糙度。
主权项：1.一种减小晶圆表面粗糙度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将晶圆置于刻蚀反应腔体内，并设置腔室压力为10mt-1000mt、射频功率范围200W-1000W、底座温度为50-300℃；步骤2、向等离子体产生腔体内通入主刻蚀气体、C4F8以及调节气体，刻蚀气体、C4F8以及调节气体经射频发生器后在等离子体产生腔体内分别形成等离子体；其中，C4F8经射频发生器后形成聚合物，吸附在钨表面从而填充到凹陷区域，使得表面平整度得到改善；主刻蚀气体采用NF3和CF4的混合气体；调节气体采用O2、He、N2和Ar的混合气体；主刻蚀气体经射频发生器后分解产生的F自由基与钨反应生成具有挥发性的副产物以实现刻蚀。
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权利要求：
百度查询： 上海稷以科技有限公司 一种减小晶圆表面粗糙度的方法
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