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申请/专利权人：苏州飞氘科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种半导体离子注入机，包括离子注入机主体，所述离子注入机主体顶端设置有真空靶射仓，所述真空靶射仓顶端设置有离子源分析箱，所述离子源分析箱底端设置有螺旋电热加速管，所述螺旋电热加速管处于真空靶射仓内侧，所述螺旋电热加速管一侧设置有气体源输送管；离子加速输送管、离子源分析箱、螺旋电热加速管、气体源输送管、离子束输送管的搭配设置，电离子加速后注入硅晶片更加高效，提高半导体芯片的生产效率。真空锁硅片装卸仓、三叉伸缩支撑杆、上压环、固定盘、静电盘、衬底的搭配设置，便于硅晶片装卸的同时有利于硅晶片的静电扫描分析，有效避免离子束长时间的轰击硅晶片的局部一点导致过热造成不可恢复的损伤。
主权项：1.一种半导体离子注入机，包括离子注入机主体（1），其特征在于：所述离子注入机主体（1）顶端设置有真空靶射仓（2），所述真空靶射仓（2）顶端设置有离子源分析箱（7），所述离子源分析箱（7）底端设置有螺旋电热加速管（8），所述螺旋电热加速管（8）处于真空靶射仓（2）内侧，所述螺旋电热加速管（8）一侧设置有气体源输送管（11），所述螺旋电热加速管（8）底端设置有连接管接头（13），所述连接管接头（13）底端固定设置有离子加速输送管（5），所述离子加速输送管（5）一侧设置有离子束输送管（12），所述离子加速输送管（5）底端设置有真空锁硅片装卸仓（6），所述真空锁硅片装卸仓（6）顶端设置有固定盘（15），所述固定盘（15）表面开设有伸缩孔，所述真空锁硅片装卸仓（6）内侧设置有三叉伸缩支撑杆（10），所述三叉伸缩支撑杆（10）一端贯穿固定盘（15）表面开设的伸缩孔的顶端表面设置有上压环（14），所述固定盘（15）顶端表面中心处设置有衬底（20），所述衬底（20）顶端放置有硅晶片，所述硅晶片顶端设置有静电盘（18），所述衬底（20）底端设置有真空吸盘（19）。
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权利要求：
百度查询： 苏州飞氘科技有限公司 一种半导体离子注入机
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