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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种低栅电荷的V型栅碳化硅VDMOS的制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长，形成漂移层；采用离子注入，在漂移层内形成均流区、P型阱区、P型源区以及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，之后采用湿式刻蚀所述N型源区以及P型阱区，形成V型凹槽；之后再V型凹槽内进行干氧氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有V型沟槽；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层及源极金属层，之后去除阻挡层，完成制备；采用了V型栅器件结构，栅极控制需要反型厚度少，栅电荷小，能有效提高器件的开关速度。
主权项：1.一种低栅电荷的V型栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长，形成漂移层；步骤2、采用离子注入，在漂移层内形成均流区；步骤3、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，采用离子注入在漂移层内形成P型阱区；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，采用离子注入在漂移层内形成P型源区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，采用离子注入在漂移层内形成N型源区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，之后采用湿式刻蚀所述N型源区以及P型阱区，形成V型凹槽；之后再V型凹槽内进行干氧氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有V型沟槽；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层直至P型源区上侧面，淀积金属，形成源极金属层，之后去除阻挡层，完成制备。
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