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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本申请提供的发光二极管，包括自下而上依次设置的透明顶电极层、稀土离子掺杂铁电薄膜层、透明底电极层及GaN基LED衬底，所述透明底电极层为所述GaN基LED的p型电极，通过调节所述透明顶电极层与所述GaN基LED的p型电极之间的电压以调节所述稀土离子掺杂铁电薄膜层的极化状态，以改变所述发光二极管的发光颜色，本申请公开的技术方案中，仅需引入一个稀土离子掺杂铁电薄膜层即可实现GaN基LED发光器件的动态调控，控制方式简单。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括自下而上依次设置的透明顶电极层、稀土离子掺杂铁电薄膜层、透明底电极层及GaN基LED衬底，所述透明底电极层为所述GaN基LED的p型电极，通过调节所述透明顶电极层与所述GaN基LED的p型电极之间的电压以调节所述稀土离子掺杂铁电薄膜层的极化状态，以改变所述发光二极管的发光颜色。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种发光二极管、制备方法及应用
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