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申请/专利权人:厦门三安光电有限公司
摘要:本发明涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括半导体叠层,包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层;从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视,半导体叠层包括第一区域和第二区域,第一区域包括暴露的第一半导体层和一保留的孤岛;孤岛具有相对的上表面、下表面,以及近边和远边,近边到第二区域的距离小于远边到第二区域的距离;第一电极,位于孤岛之上,至少部分覆盖孤岛的上表面和远边,并与暴露的第一半导体层电连接;第二电极,位于第二区域之上,并与第二半导体层电连接。本发明通过对第一电极位置的优化设计,增大第一电极和第二电极的间距,从而降低电场强度,增强抗金属迁移能力,进而提升发光二极管的可靠性。
主权项:1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:衬底,具有相对设置的上表面和下表面;半导体叠层,设置在所述衬底上表面,包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层;从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视,所述半导体叠层包括第一区域和第二区域,所述第一区域包括暴露的所述第一半导体层和一保留的孤岛;所述孤岛具有相对的上表面、下表面,以及近边和远边,所述近边到所述第二区域的距离小于所述远边到所述第二区域的距离;第一电极,位于所述孤岛之上,至少部分覆盖所述孤岛的上表面和所述远边,并与暴露的所述第一半导体层电连接;第二电极,位于所述第二区域之上,并与所述第二半导体层电连接。
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权利要求:
百度查询: 厦门三安光电有限公司 一种发光二极管及发光装置
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