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一种芯片老化监控方法、装置及系统 

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申请/专利权人:上海原动力通信科技有限公司

摘要:本发明实施例提供一种芯片老化监控方法、装置及系统,通过获取目标芯片在老化过程中的温度变化曲线,并根据温度升温阶段所对应的曲线段,得到目标芯片在温度升温阶段的温度变化斜率值,根据温度稳态阶段所对应的曲线段,得到目标芯片在温度稳态阶段的温度值,最后温度变化斜率值和温度值,对目标芯片的老化状态进行监控,实现了对目标芯片在老化过程中温度升温阶段和温度稳态阶段的老化状态的监控,从而实现了对存在贴装或装配异常的芯片的及时筛选,避免了目标芯片在老化过程中出现温度异常时,容易出现芯片烧毁的问题。

主权项:1.一种芯片老化监控方法,其特征在于,包括:获取目标芯片在老化过程中的温度变化曲线,所述温度变化曲线包括温度升温阶段所对应的曲线段和温度稳态阶段所对应的曲线段;根据所述温度升温阶段所对应的曲线段,得到所述目标芯片在温度升温阶段的温度变化斜率值,并根据所述温度稳态阶段所对应的曲线段,得到所述目标芯片在温度稳态阶段的温度值;根据预先得到的温度变化斜率范围和所述温度变化斜率值,检测所述目标芯片是否处于正常老化状态;当检测得到所述目标芯片处于正常老化状态,且所述目标芯片进入所述温度稳态阶段时,根据预先得到的温度稳态范围和所述温度值,对所述目标芯片的老化环境温度进行监控;所述根据预先得到的温度变化斜率范围和所述温度变化斜率值,检测所述目标芯片是否处于正常老化状态,包括:当检测得到所述温度变化斜率值在所述温度变化斜率范围内时,确定所述目标芯片处于正常老化状态;当检测得到所述温度变化斜率值大于所述温度变化斜率范围的最大值时,检测其他芯片的温度变化斜率值是否在所述温度变化斜率范围内,所述其他芯片为与所述目标芯片在同一老化环境中同时进行老化的芯片;当检测得到所述其他芯片中第一预设数量芯片的温度变化斜率值在所述温度变化斜率范围内时,确定所述目标芯片存在异常;当检测得到所述其他芯片中第二预设数量芯片的温度变化斜率值大于所述温度变化斜率范围的最大值时,确定所述老化环境中的温度大于预设温度阈值。

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