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申请/专利权人：中国海洋大学
摘要：本发明提供一种基于TDLAS和LIBS的物体表面稳定CO同位素及金属元素分布分析仪器，涉及同位素分布分析领域。本发明，包括计算机和固体样品，所述计算机电性连接有激光发射结构、载气供给结构、气体同位素分析结构和温度控制结构，激光发射结构、载气供给结构和气体同位素分析结构之间设置有样品室，所述样品室底部设置有电动三维位移台，所述样品室顶部固定连接有石英窗片，利用可调谐中红外激光吸收光谱TDLAS系统和激光诱导击穿光谱LIBS实现对碳酸盐岩表面CO同位素的高分辨率二维分布分析，通过LIBS光谱对碳酸盐岩金属元素进行分析。
主权项：1.一种基于TDLAS和LIBS的物体表面稳定CO同位素及金属元素分布分析仪器，包括计算机1和固体样品7，其特征在于：所述计算机1电性连接有激光发射结构、载气供给结构、气体同位素分析结构和温度控制结构，激光发射结构、载气供给结构和气体同位素分析结构之间设置有样品室13，所述样品室13底部设置有电动三维位移台22，所述样品室13顶部固定连接有石英窗片14；激光发射结构包括固体脉冲激光器2、光纤耦合器10、光谱仪12和镜组，固体脉冲激光器2发射激光脉冲在镜组作用下照射到样品室13内部放置的固体样品7上；样品室13与载气供给结构之间设置有质量流量控制器18，样品室13与气体同位素分析结构设置有质量流量计23；气体同位素分析结构包括多次反射气室25和信号发生电路26，所述信号发生电路26电性连接有锁相放大电路36和加法器27，所述加法器27电性连接有激光器驱动28和激光器温控电路29，所述激光器驱动28和激光器温控电路29用于控制半导体红外激光器30工作，所述半导体红外激光器30一端设置有激光准直器31、激光反射镜32和Herriot腔镜33，温度控制结构包括温度探头42和温度控制电路43，所述温度探头42安装在多次反射气室25一侧探测多次反射气室25内部温度，温度控制电路43用于控制多次反射气室25内部温度；计算机1内部设置有分析控制系统，分析控制系统用于控制激光发射结构、载气供给结构、气体同位素分析结构和温度控制结构工作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国海洋大学 一种基于TDLAS和LIBS的物体表面稳定C&O同位素及金属元素分布分析仪器
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