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申请/专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
摘要：本申请公开了一种表征3C‑SiC外延层结晶质量的方法及表征3C‑SiC衬底结晶质量的方法，属于3C‑SiC材料质量表征技术领域。该方法包括步骤：1将抛光后的3C‑SiC外延层或3C‑SiC衬底放置于X射线衍射仪的样品台上；2采用X射线对3C‑SiC外延层或3C‑SiC衬底的112晶面和113晶面进行衍射测试分别得到半高宽，113晶面的半高宽与112晶面的半高宽的差值不大于40arcsec时，112晶面的半高宽与113晶面的半高宽即为3C‑SiC外延层或3C‑SiC衬底的结晶质量参数。该方法能够实现对3C‑SiC外延层和3C‑SiC衬底结晶质量的定量表征，可对3C‑SiC材料生长工艺的优化起到指导作用。
主权项：1.一种表征3C-SiC外延层结晶质量的方法，其特征在于，包括下述步骤：1将抛光后的3C-SiC外延层放置于X射线衍射仪的样品台上；2采用X射线对3C-SiC外延层的112晶面和113晶面进行衍射测试分别得到半高宽，所述113晶面的半高宽与112晶面的半高宽的差值不大于40arcsec时，所述112晶面的半高宽与113晶面的半高宽即为3C-SiC外延层的结晶质量参数。
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