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申请/专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司;滁州华瑞微电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种SiCMOSFET的多次自对准工艺，步骤如下：衬底上生长外延；得到P‑well的注入窗口；依次淀积SiO2和Si3N4；依次刻蚀掉Si3N4、SiO2，得到P+的注入窗口，注入P+区的离子；去除表面全部的Si3N4；刻蚀SiO2，得到N+的注入窗口，进行N+源区的注入工艺；去除侧壁SiO2,得到P‑well的注入窗口，在外延层中形成P‑well区；依次去除Poly、Si3N4和SiO2；生长栅氧化层、沉积多晶硅，光刻刻蚀；介质层沉积，刻蚀出接触孔；溅射正面背面金属，光刻和刻蚀；完成钝化层沉积。本发明只需要一次光刻，实现P+、N+和P‑well的离子注入窗口的自对准。
主权项：1.一种SiCMOSFET的多次自对准工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1，制备衬底并生长外延；S2，淀积Poly层，通过光刻、刻蚀得到P-well的注入窗口；S3，继续依次淀积SiO2和Si3N4；S4，采用干法刻蚀的方法，刻蚀掉Si3N4，保留注入窗口处的Si3N4；再刻蚀掉SiO2，保留注入窗口处的SiO2，得到P+的注入窗口，通过高温离子注入的方式注入P+区的离子；S5，去除表面全部的Si3N4；S6，利用干法刻蚀SiO2，保留侧壁部分SiO2，在注入窗口处形成栅极侧墙结构，得到N+的注入窗口，进行N+源区的注入工艺；S7，湿法去除侧壁所有的SiO2,得到所述P-well的注入窗口，通过离子注入的方法在外延层中形成P-well区；S8，依次去除介质Poly、Si3N4和SiO2；S9，生长栅氧化层、沉积多晶硅，进行光刻刻蚀；S10，进行介质层SiO2的沉积，并在光刻后刻蚀出接触孔；S11，溅射正面金属、背面金属，并进行光刻和刻蚀；S12，在正面金属上完成钝化层沉积、光刻、刻蚀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京华瑞微集成电路有限公司 滁州华瑞微电子科技有限公司 一种SiC MOSFET的多次自对准工艺
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