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申请/专利权人：罗姆股份有限公司
摘要：一种半导体装置1A，包含：芯片2，其包含SiC单晶，并具有主面3；沟槽构造20，其具有第一侧壁22A和第二侧壁22B，并形成于所述主面，其中，所述第一侧壁在所述SiC单晶的a轴方向上延伸，所述第二侧壁在所述SiC单晶的m轴方向上延伸；第一导电型的接触区50，其在所述芯片内从所述第二侧壁在所述a轴方向上隔开间隔地形成于沿着所述沟槽构造的区域。
主权项：1.一种SiC半导体装置，包含：芯片，其包含SiC单晶，并具有主面；沟槽构造，其具有第一侧壁和第二侧壁，并形成于所述主面，其中，所述第一侧壁在所述SiC单晶的a轴方向上延伸，所述第二侧壁在所述SiC单晶的m轴方向上延伸；以及第一导电型的接触区，其在所述芯片内从所述第二侧壁在所述a轴方向上隔开间隔地形成于沿着所述沟槽构造的区域。
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