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申请/专利权人：上海合谱微电子技术有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件及其制备方法。器件包括：第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底之上的第二掺杂类型的外延层；位于所述外延层内且在横向方向依次连接的源极第一掺杂区和第一掺杂类型的沟道区；组合栅，所述组合栅包括栅控制区和第二掺杂类型的栅隔离区，所述栅控制区的导电率高于栅隔离区的导电率；其中，所述栅隔离区形成在所述沟道区之上，所述栅隔离区至少有部分顶面作为承载顶面，所述承载顶面低于所述外延层的顶面，所述栅控制区形成在所述承载顶面之上。本申请实施例解决了传统的横向SiC‑JFET器件跨导Gm较低的技术问题。
主权项：1.一种横向SiC-JFET器件，其特征在于，包括：第一掺杂类型的衬底101；位于所述衬底之上的第二掺杂类型的外延层；位于所述外延层内且在横向方向依次连接的源极第一掺杂区109和第一掺杂类型的沟道区110；组合栅，所述组合栅包括栅控制区201和第二掺杂类型的栅隔离区111，所述栅控制区的导电率高于栅隔离区的导电率；其中，所述栅隔离区111形成在所述沟道区110之上，所述栅隔离区111至少有部分顶面作为承载顶面，所述承载顶面低于所述外延层的顶面，所述栅控制区201形成在所述承载顶面之上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海合谱微电子技术有限公司 一种横向SiC-JFET器件及其制备方法
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