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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

摘要：本申请提供了一种芯片内部结构的失效位置确定方法，通过将一个芯片上沿着第一预设方向排列的多个待检测结构一起挖取下来，得到晶圆区块，对晶圆区块的各个待减薄子区进行第一次减薄，每个待减薄子区包含一个待检测结构，并且第一次减薄没有贯穿晶圆区块的高度，以在第一次减薄之后，生成待检测结构对应的待减薄结构、支撑结构以及位于相邻的待检测结构之间的间隔结构，在对每个待减薄子区进行第一次减薄之后对每个待减薄结构进行第二次减薄，得到各待检测结构对应的检测样品，在晶圆区块上保留按照第一预设方向排列的各个检测样品，解决了检测效率较低的技术问题，达到提高检测效率的技术效果。

主权项：1.一种芯片内部结构的失效位置确定方法，其特征在于，所述方法包括：从晶圆样品上挖取一晶圆区块，所述晶圆区块包括晶圆样品的一个芯片内沿着第一预设方向排列的多个待检测结构，所述第一预设方向指的是晶圆区块的长边所在直线的方向；将晶圆区块的衔接侧面焊接在样品台的格栅立柱上，所述衔接侧面为晶圆区块中靠近一个待检测结构的第一侧面的一侧面，第一侧面由待检测结构的宽边和高度组成；确定所述晶圆区块的多个待减薄子区，每个待减薄子区包括对应的一个待检测结构；以第二预设方向对每个待减薄子区的第一目标侧面的预设区域进行第一次减薄，以在各个待减薄子区上保留待检测结构对应的待减薄结构、支撑结构、间隔结构，其中，所述第二预设方向垂直于所述第一预设方向，所述第一目标侧面为待减薄子区中靠近待检测结构的第二侧面的一侧面，第二侧面由待检测结构的长边和高度组成，多个待减薄结构及对应的支撑结构与间隔结构为一个整体，每个待减薄结构对应的间隔结构用于间隔该待减薄结构及与该待减薄结构相邻的待减薄结构，每个待减薄结构包括对应的一个待检测结构；以第二预设方向对每个待减薄结构的第二目标侧面进行第二次减薄，以在晶圆区块上保留每个待检测结构对应的检测样品、支撑结构、间隔结构，其中，所述第二目标侧面为待减薄结构中靠近待检测结构的第二侧面的一侧面，所述第二目标侧面平行于第一目标侧面的预设区域，在晶圆区块保留每个检测样品沿着第一预设方向排列；通过透射电子显微镜对每个待检测结构对应的检测样品进行芯片内部结构检测，以使操作人员确定出芯片内部结构的失效位置；所述多个待减薄子区包括距离所述格栅立柱最远的第一区块、除所述第一区块之外的各个第二区块，通过以下方法对每个待减薄子区进行减薄：以第二预设方向对各个第二区块的第一目标侧面的预设区域进行第一次减薄之后，得到各个第二区块对应的待减薄结构，针对每个待减薄结构，该待减薄结构对应的间隔结构用于防止在对相邻待减薄结构进行第二次减薄的过程中所产生的飞溅物而污染该待减薄结构对应的检测样品；以第二预设方向对所述第一区块的第一目标侧面的预设区域进行第一次减薄之后，不保留第一区块内的待检测结构对应的支撑结构，仅保留第一区块内的待检测结构对应的待减薄结构与间隔结构，以提高减薄效率，以第二预设方向对所述第一区块对应的待减薄结构进行第二次减薄，得到所述第一区块对应的检测样品；以第二预设方向对各个第二区块对应的待减薄结构的第二目标侧面进行第二次减薄，得到各个第二区块对应的检测样品；所述确定所述晶圆区块的多个待减薄子区，包括：针对每个待检测结构，依据所述晶圆区块上该待检测结构对应的位置标记，确定该待检测结构对应的待减薄子区，所述位置标记用于标记各个待检测结构在晶圆区块上的位置，所述位置标记包括第一位置标记或第二位置标记，所述第一位置标记用于标记各个待检测结构的长边，所述第二位置标记用于标记相邻待检测结构之间的间隔长度。

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