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申请/专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
摘要：本申请涉及一种电化学沉积表面地形仿真方法、装置及可读存储介质；获取待仿真芯片的版图信息；获取初始时刻环境信息以及初始表面地形仿真模型；通过初始表面地形仿真模型，基于版图信息以及初始时刻环境信息进行沉积仿真，生成待仿真芯片的电化学沉积仿真结果；沉积仿真，包括：基于版图信息，若识别到版图中存在目标版图区域，则确定目标版图区域对应的当前沉积阶段；若当前沉积阶段满足预设阶段，则通过修正表面地形仿真模型，对目标版图区域进行沉积仿真；修正表面地形仿真模型是基于初始表面地形仿真模型进行调整后的仿真模型；避免了目标版图区域对应的电化学沉积仿真结果与实际制造工艺存在较大差异性的问题，提高了电化学沉积仿真的准确性。
主权项：1.一种电化学沉积表面地形仿真方法，其特征在于，所述方法包括：获取待仿真芯片的版图信息；获取初始时刻环境信息以及初始表面地形仿真模型；通过所述初始表面地形仿真模型，基于所述版图信息以及初始时刻环境信息进行沉积仿真，生成所述待仿真芯片的电化学沉积仿真结果；所述沉积仿真，包括：基于所述版图信息，若识别到存在目标版图区域，则确定目标版图区域对应的当前沉积阶段；若当前沉积阶段满足预设阶段，则通过修正表面地形仿真模型，对所述目标版图区域进行沉积仿真；所述修正表面地形仿真模型是基于初始表面地形仿真模型进行调整后的仿真模型；所述目标版图区域包括：小线宽区域和或低密度区域；其中，所述小线宽区域是指线宽值小于预设线宽阈值的版图区域；所述低密度区域是指密度值小于预设密度阈值的版图区域；所述预设阶段为第三沉积阶段；所述第三沉积阶段是当前时刻与下一时刻都处于沟槽的超填充阶段。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州广立微电子股份有限公司 电化学沉积表面地形仿真方法、装置及可读存储介质
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