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摘要：本发明公开一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺，属于半导体材料技术领域。该工艺包括以下步骤：1将反应管中的空气置换为氢气；将锑化铟衬底放置在反应管中，并在锑化铟衬底的表面均匀放置小粒径的铟粒；2对锑化铟衬底及铟粒加热，使得铟粒熔化，并均匀地附着在锑化铟衬底表面；3加热液态三溴化砷储罐，使得液态三溴化砷气化，并通过氢气引入到反应管中；4对反应管加热，使得小粒径铟粒、三溴化砷和氢气发生反应，在锑化铟衬底上生成砷化铟；5冷却得到砷化铟外延薄膜晶片成品。本发明采用液态三溴化砷为原料，减少了对上游原材料高纯砷的依赖，降低了生产成本；所制得砷化铟外延薄膜晶片的厚度也有显著提升。
主权项：1.一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺，其特征在于，采用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的装置，该装置包括反应管、高压氢气储罐和液态三溴化砷储罐；高压氢气储罐通过氢气输送管道与反应管的进口端连接，液态三溴化砷储罐通过三溴化砷气体输送管道与氢气输送管道连接；在液态三溴化砷储罐的外侧设置有第一加热元件；在反应管的外侧设置有第二加热元件，在反应管的内部设置有托架，在托架处设置有第三加热元件，反应管的出口端连接废气输出管道；该工艺包括以下步骤：1高压氢气储罐中的氢气通过氢气输送管道输送至反应管中，将反应管中的空气完全置换；将锑化铟衬底放置在托架上，并在锑化铟衬底的表面放置铟粒；2利用第三加热元件对锑化铟衬底及铟粒加热，使得铟粒熔化，并均匀地附着在锑化铟衬底表面；3通过第一加热元件加热液态三溴化砷储罐，使得液态三溴化砷储罐中的液态三溴化砷气化；气化后的三溴化砷通过氢气引入到反应管中；4通过第二加热元件对反应管进行加热，加热至400-450℃，使得铟粒、三溴化砷和氢气发生反应，在锑化铟衬底上生成砷化铟；反应产生的溴化氢通过废气输出管道排出；5反应完成后，向反应管中持续通入常温氢气，冷却至室温，得到砷化铟外延薄膜晶片成品。
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百度查询： 济源海煜科技有限公司 一种利用三溴化砷合成砷化铟外延薄膜晶片的工艺
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