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摘要：本发明涉及电磁屏蔽材料技术领域，公开了一种基于单层正性光刻胶的金属网栅电磁屏蔽光学窗口的制备方法。本发明提出了通过两次不同方向的曝光，进而在光学窗口表面形成底切结构的光刻胶图形并制得金属网栅电磁屏蔽光学窗口的方法。在两次曝光时，第一次曝光为背面泛曝光，泛曝光区域作为牺牲层避免了多次光刻胶涂覆和烘烤的过程，极大地简化了工序。本发明提供的基于单层正性光刻胶的金属网栅电磁屏蔽光学窗口的制备方法具有操作简单、制备效率和成品率高等优势，且不会存在多种光刻胶的试剂互相干扰的问题，制得的产品具有优异的电磁屏蔽性能和光学透过性能。
主权项：1.一种基于单层正性光刻胶的金属网栅电磁屏蔽光学窗口的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：步骤一、在洁净的光学窗口表面涂覆一层正性光刻胶，烘烤，得涂覆正性光刻胶的光学窗口；步骤二、将所述涂覆正性光刻胶的光学窗口进行背面泛曝光，得背面泛曝光的涂覆正性光刻胶的光学窗口；步骤三、将所述背面泛曝光的涂覆正性光刻胶的光学窗口正面朝上，放置掩模版，正面曝光，得正面曝光的涂覆正性光刻胶的光学窗口；其中所述正面曝光的能量为刚好能将所述正性光刻胶曝透的能量；步骤四、将所述正面曝光的涂覆正性光刻胶的光学窗口进行显影处理，得带有底切结构的光学窗口；步骤五、在所述带有底切结构的光学窗口表面镀制金属层，剥离去胶，得基于单层正性光刻胶的金属网栅电磁屏蔽光学窗口；其中，步骤二中所述背面泛曝光的能量；E背为背面泛曝光的能量，单位为mJcm2；E正为刚好能将所述正性光刻胶曝透的能量；T为涂覆正性光刻胶的光学窗口对曝光光源的光学透过率；p为与曝光深度相关的比例系数，为0.25~0.5。
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百度查询： 有研国晶辉新材料有限公司 一种基于单层正性光刻胶的金属网栅电磁屏蔽光学窗口的制备方法
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