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摘要：本发明公开了一种声表面波器件的制备方法及声表面波器件，涉及射频器件技术领域。本发明先在单晶硅或碳化硅的生长过程中掺杂深能级杂质，得到掺杂深能级杂质的掺杂硅或掺杂碳化硅，并将掺杂硅或掺杂碳化硅作为支撑衬底，然后在作为支撑衬底的掺杂硅或掺杂碳化硅上制备二氧化硅形成温补层，之后在温补层上制备压电单晶薄膜形成压电层，并在压电层上沉积叉指电极。本发明以同样电阻率的单晶硅或碳化硅为基础制备得到支撑衬底时，无需额外工艺，并提高了对寄生表面电导效应的抑制效果，则对于同等寄生表面电导效应的抑制效果需求，降低了对于单晶硅或碳化硅电阻率的要求，从而降低了单晶硅或碳化硅的生长工艺的要求，提高了适用性。
主权项：1.一种声表面波器件的制备方法，其特征在于，包括：在单晶硅或碳化硅的生长过程中掺杂深能级杂质，得到掺杂深能级杂质的掺杂硅或掺杂碳化硅，并将掺杂硅或掺杂碳化硅用于制备支撑衬底；在支撑衬底上制备二氧化硅形成温补层；在温补层上制备压电单晶薄膜形成压电层，并在压电层上沉积叉指电极。
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百度查询： 山东大学 一种声表面波器件的制备方法及声表面波器件
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