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摘要：本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室，包括：腔体以及分别设于所述腔体内的基座和工艺组件，所述基座用于承载晶圆；所述工艺组件包括沉积环，所述沉积环设于所述基座的外侧；所述工艺腔室还包括加热组件，所述加热组件设于所述腔体内，用于对所述沉积环的至少部分区域进行加热，以熔化所述沉积环处的沉积材料。一种半导体工艺设备，包括上述工艺腔室。本申请能够解决遮挡件上沉积形成的凸刺与晶圆粘连导致晶圆偏移甚至破碎的问题。
主权项：1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：腔体100以及分别设于所述腔体100内的基座200和工艺组件300，所述基座200用于承载晶圆；所述工艺组件300包括沉积环310，所述沉积环310设于所述基座200的外侧；所述工艺腔室还包括加热组件400，所述加热组件400设于所述腔体100内，用于对所述沉积环310的至少部分区域进行加热，以熔化所述沉积环310处的沉积材料500。
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百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体工艺设备
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