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摘要：本发明公开了一种实现银硫基塑性无机半导体超高塑性变形量的制备方法，包括对银硫基材料冷加工；在惰性气体氛围下或真空环境下，将冷加工后的银硫基材料进行退火；重复上述步骤得到超高变形量的银硫基塑性无机半导体材料；该银硫基材料为Ag2‑xCuxS1‑yMy，其中，M为Se和或Te，x＝0‑0.5，y＝0.3‑0.8。本发明还公开了利用该方法制得的银硫基类塑性无机半导体，该银硫基类塑性无机半导体材料具有超高的塑性变形量。
主权项：1.一种实现银硫基塑性无机半导体超高塑性变形量的方法，其特征在于，包括：1对银硫基材料冷加工；2在惰性气体氛围下或真空环境下，将冷加工后的银硫基材料进行退火；3重复1-2，实现银硫基塑性无机半导体材料的超高变形量；所述银硫基材料为Ag2-xCuxS1-yMy，其中，M为Se和或Te，x＝0-0.5，y＝0.2-0.7。
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百度查询： 浙江大学 银硫基类塑性无机半导体及实现银硫基塑性无机半导体超高塑性变形量的方法
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