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摘要：本发明公开了一种倒置薄膜微带结构的TRL校准件及其制备方法，该校准件包括衬底、设于衬底上表面的第一薄膜介质层，设于第一薄膜介质层上表面的PAD接地金属层、PAD金属层和金属标准件；金属标准件的上表面设有第二薄膜介质层，第二薄膜介质层内嵌入有PAD接地通孔金属层，第二薄膜介质层上表面设有参考地金属层；PAD接地金属层通过PAD接地通孔金属层与参考地金属层连接。本发明能有效隔绝空间电磁场辐射信号对校准件的校准性能的影响，该倒置薄膜微带线传输线校准件实现太赫兹频段的S参数校准，校准精度高，适用范围广，寄生参数小，能实现高精确度的半导体太赫兹器件的校准和去嵌。
主权项：1.一种倒置薄膜微带结构的TRL校准件，其特征在于，包括衬底1、设于衬底1上表面的第一薄膜介质层2，设于第一薄膜介质层2上表面的PAD接地金属层3、PAD金属层4和金属标准件；所述金属标准件的上表面设有第二薄膜介质层8，所述第二薄膜介质层8内嵌入有PAD接地通孔金属层9，所述第二薄膜介质层8上表面设有参考地金属层10；所述PAD接地金属层3通过PAD接地通孔金属层9与参考地金属层10连接。
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百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种倒置薄膜微带结构的TRL校准件及其制备方法
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