买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本申请属于芯片封装技术领域，公开了一种车规级芯片的封装方法及封装结构。该方法通过改进封装工艺。解决了多层芯片中L4层表面严重高温胶带胶迹残留的问题，可以有效防止最终产品在工作过程中发热导致残胶位置发生爆板分层的问题，显著提升了产品的可靠性；解决了在靠近内埋功率模块的位置L2层和L3层介电层厚度严重偏薄的问题，可以有效防止在最终产品在工作过程在介电层偏薄位置发生高压击穿或导电阳离子迁移缺陷；通过对散热铜基背面进行补充棕化，确保了铜基背面与半固化树脂片的结合力，提升产品的可靠性；通过优化散热通道以及增大L6层散热面积，改善散热效果。

主权项：1.一种车规级芯片的封装方法，其特征在于，包括：S1，对芯板的上表面进行表面处理形成L3层，对芯板的下表面进行表面处理形成L4层，对表面处理后的芯板加工通槽和进行棕化处理；S2，在L4层的表面贴胶带，将功率模块贴装到通槽内，将复合粘结膜冲裁成预设尺寸的粘结膜矩形块，然后将粘结膜矩形块贴装固定到L3层上对应内埋功率模块的区域；S3，对经步骤S2处理后的芯板进行传压处理，使粘结膜矩形块受热热熔并填充在功率模块与芯板之间的空隙之后进行固化；S4，去除L4层表面的胶带，并对功率模块的散热铜基靠近L4层的表面进行补充棕化处理；S5，对L3层和L4层进行等离子处理，并在L3层的表面依次叠设多层半固化树脂片和一层铜箔并压合形成L2层，在L4层的表面依次叠设多层半固化树脂片和一层铜箔并压合形成L5层；S6，在L2层至L3层之间和L5层至L4层之间加工盲孔，在盲孔中填充铜柱，贯穿L2层至L5层加工通孔，并将通孔的内壁金属化；S7，对芯板的L2层进行表面处理，对L5层进行表面处理，对表面处理后的L2层和L5层进行棕化处理；S8，使用真空塞树脂网板，用树脂填充金属化后的通孔和L5层的表面间距，得到L25半成品板，对L25半成品板进行两段烘烤；S9，对L2层和L5层进行等离子处理，L2层的表面叠设多层半固化树脂片和一层铜箔，压合形成L1层，在L5层的表面排布一张RCC材料，压合形成L6层；S10，在L1层至L2层之间加工盲孔，电镀填平盲孔形成铜柱，对L1层和L6层进行表面处理，形成L16半成品板，在L16半成品板基础上进行加工，形成最终产品；步骤S2中将复合粘结膜冲裁成预设尺寸的粘结膜矩形块，包括：取一卷粘结膜料，所述粘结膜料包括三层，分别为38μm的PET膜，60μm的粘结胶膜，10μm的OPP膜；取一卷微粘膜，所述微粘膜包括三层，分别为30μm的PVC膜，10μm的亚克力胶膜，75μm的PI膜；撕掉粘结膜料的OPP膜和微粘膜的PVC膜，将粘结膜料的粘结胶膜贴在微粘膜的亚克力胶膜上，形成复合粘结膜；将复合粘结膜安装到自动裁切机制品轴上，将复合粘结膜的粘结膜部分冲切成粘结膜矩形块，将粘结膜矩形块从微粘膜上取下，所述粘结膜矩形块的边长比功率模块的边长大6mm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州美维电子有限公司 一种车规级芯片的封装方法及封装结构