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摘要：一种基于梯度折射率倒脊形波导的边缘耦合器，属于二氧化硅波导集成光学技术领域。从下至上依次由衬底、低折射率二氧化硅下包层、低折射率二氧化硅中间包层和低折射率二氧化硅上包层组成，在低折射率二氧化硅中间包层之中包覆有高折射率二氧化硅第一波导芯层，在低折射率二氧化硅上包层之中包覆有高折射率二氧化硅第二波导芯层，第二波导芯层位于第一波导芯层和二氧化硅中间包层之上。第一波导芯层为锥形波导，第二波导芯层由锥形波导Core1和直波导Core2组成，第一波导芯层和锥形波导Core1共同构成梯度折射率倒脊形波导边缘耦合器。来自光纤的光信号首先耦合至脊形结构波导中，然后由直波导Core2传输至光芯片等其他器件中。

主权项：1.一种基于梯度折射率倒脊形波导的边缘耦合器，其特征在于：从下至上依次由衬底1、低折射率二氧化硅下包层2、低折射率二氧化硅中间包层3和低折射率二氧化硅上包层4组成，在低折射率二氧化硅中间包层3之中包覆有高折射率二氧化硅第一波导芯层5，且高折射率二氧化硅第一波导芯层5和低折射率二氧化硅中间包层3具有相同的厚度；在低折射率二氧化硅上包层4之中包覆有高折射率二氧化硅第二波导芯层6，高折射率二氧化硅第二波导芯层6位于高折射率二氧化硅第一波导芯层5和低折射率二氧化硅中间包层3之上，其厚度小于低折射率二氧化硅上包层4的厚度；低折射率二氧化硅上包层4、低折射率二氧化硅中间包层3和低折射率二氧化硅下包层2具有相同的折射率，高折射二氧化硅第二波导芯层6的折射率大于高折射率二氧化硅第一波导芯层5的折射率，高折射率二氧化硅第一波导芯层5的折射率大于低折射率二氧化硅下包层2的折射率；二氧化硅第一波导芯层5为锥形波导，沿光的传输方向，二氧化硅第一波导芯层5的宽度逐渐变窄；二氧化硅第二波导芯层6由锥形波导Core1和直波导Core2组成，沿光的传输方向，二氧化硅第一波导芯层6的宽度逐渐变窄；锥形波导Core1和高折射率二氧化硅第一波导芯层5的长度相同，且锥形波导Core1居中设置于高折射率二氧化硅第一波导芯层5的上表面，两者共同构成梯度折射率倒脊形波导边缘耦合器；沿光的传输方向，来自光纤的光信号首先耦合至脊形结构波导中，然后由直波导Core2将耦合至脊形结构波导内的信号光传输至光芯片等其他器件中。

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百度查询： 吉林大学 一种基于梯度折射率倒脊形波导的边缘耦合器