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摘要：本申请涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种单横模多脊波导大功率半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：设置在外延结构上的脊波导结构，脊波导结构包括增益主波导和位于增益主波导两侧的非对称耦合阵列；非对称耦合阵列包括左侧耦合阵列和右侧耦合阵列，左侧耦合阵列和右侧耦合阵列均包括多个子波导，左侧耦合阵列的子波导和右侧耦合阵列的子波导宽度均小于增益主波导的宽度；增益主波导与其左右两侧的子波导之间的间距相等。本申请在不对基横模损耗的前提下使得基横模优先激射，最终实现了基横模大功率的半导体激光器。
主权项：1.一种单横模多脊波导大功率半导体激光器，其特征在于，包括：设置在外延结构上的脊波导结构，所述脊波导结构包括增益主波导和位于所述增益主波导两侧的非对称耦合阵列；所述非对称耦合阵列包括位于所述增益主波导左侧的左侧耦合阵列以及位于所述增益主波导右侧的右侧耦合阵列；所述左侧耦合阵列和所述右侧耦合阵列均包括多个子波导；所述左侧耦合阵列的子波导和所述右侧耦合阵列的子波导的度均小于所述增益主波导的宽度；所述增益主波导与其左右两侧的子波导之间的间距相等。
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百度查询： 长春理工大学 一种单横模多脊波导大功率半导体激光器及其制备方法
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