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摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法，制作方法包括：提供衬底，衬底的表面具有堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠设置的第一介质层、第一导电层和第二介质层，堆叠结构内具有贯穿堆叠结构厚度的多个凹槽，凹槽延伸至衬底内，凹槽用于定义位线接触区；形成种子导电层，种子导电层至少覆盖凹槽的侧面，并与第一导电层电接触；形成第二导电层，第二导电层覆盖种子导电层且填满凹槽。可以降低第二导电层存在空隙的概率和电阻，提高半导体结构的整体性能。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的表面具有堆叠结构，所述堆叠结构包括依次层叠设置的第一介质层、第一导电层和第二介质层，所述堆叠结构内具有贯穿所述堆叠结构厚度的多个凹槽，所述凹槽延伸至所述衬底内，所述凹槽用于定义位线接触区；形成种子导电层，所述种子导电层至少覆盖所述凹槽的侧面，并与所述第一导电层电接触；形成第二导电层，所述第二导电层覆盖所述种子导电层且填满所述凹槽。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制作方法
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