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摘要：本发明公开了一种太赫兹频段InPHBT建模方法，包括：使用InPHBT器件经三维电磁仿真得到的无源环境下的CST仿真数据，训练得到CST网络；使用InPHBT器件经TCAD仿真得到的偏置环境下的TCAD仿真数据，训练得到TCAD网络；将所述器件几何尺寸分别输入所述CST网络和TCAD网络，分别得到等效电路的模型参数1和等效电路的模型参数2；计算得到U值与频率的关系曲线并预测待建模的InPHBT器件的高频特性fMAX。本发明能预测太赫兹频段下工艺和器件版图结构参数驱动的InPHBT工作点频率特性，优化InPHBT太赫兹功率放大器设计。本发明可以快速实现晶体管太赫兹频段线性、非线性行为的准确描述和特性的精确预测。
主权项：1.一种太赫兹频段InPHBT建模方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：使用InPHBT器件经三维电磁仿真得到的无源环境下的CST仿真数据，训练神经网络A，得到CST网络；使用InPHBT器件经TCAD仿真得到的偏置环境下的TCAD仿真数据，训练神经网络C，得到TCAD网络；所述CST网络和TCAD网络的输入均为InPHBT器件的器件几何尺寸，输出均为InPHBT器件的等效电路网表中等效电路的模型参数；S2:获取待建模的InPHBT器件的器件几何尺寸，将所述器件几何尺寸分别输入所述CST网络和TCAD网络，分别得到等效电路的模型参数1和等效电路的模型参数2；S3：基于等效电路的模型参数1和等效电路的模型参数2计算梅森单向功率增益U值，得到U值与频率的关系曲线；S4:基于U值与频率的关系曲线预测待建模的InPHBT器件的高频特性fMAX。
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百度查询： 杭州电子科技大学 一种太赫兹频段InP HBT建模方法
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