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摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金：所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比为1:9~9:1。本发明提供的助熔剂可以降低碳化硅晶体的生长的温度，实现更低温下碳化硅晶体的生长，同时可以增加碳在硅熔体中的溶解度，提高晶体生长前期硅熔体中碳的浓度，可实现在更短的时间得到高质量、大尺寸的碳化硅晶体。
主权项：1.一种碳化硅晶体生长用助熔剂，其特征在于，所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金；所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比为1:9~9:1。
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百度查询： 北京晶格领域半导体有限公司 碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法
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