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摘要：本发明公开了一种大功率倒装LED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、外延层、Ag反射层、绝缘层、Al层、第一电极和第二电极，所述绝缘层和Al层形成ODR结构。本发明利用Al层来填补Ag反射层不能反射区域，增加芯片整体的反射效率，提高芯片的出光效率。
主权项：1.一种大功率倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、外延层、Ag反射层、绝缘层、Al层、第一电极和第二电极，所述绝缘层和Al层形成ODR结构；所述外延层设有第一孔洞，所述Ag反射层设置在外延层上且设有第二孔洞，所述第二孔洞与第一孔洞连通，所述第二孔洞的直径大于第一孔洞的直径；所述绝缘层设置在Ag反射层上并填充在第二孔洞和第一孔洞内，所述绝缘层设有第三孔洞和第四孔洞，所述第三孔洞位于第一孔洞和第二孔洞内，且第三孔洞的直径小于第一孔洞的直径；所述绝缘层包括SiO2，所述Al层设置在所述SiO2上表面，且所述Al层位于第三孔洞和Ag反射层之间的区域；所述第一电极设置在第三孔洞内，所述第二电极设置在第四孔洞内;所述第二孔洞贯穿所述Ag反射层，所述第二孔洞的直径比第一孔洞的直径大5%~10%，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一孔洞贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层。
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百度查询： 佛山市国星半导体技术有限公司 一种大功率倒装LED芯片及其制作方法
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