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申请/专利权人：华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网有限公司

申请日：2024-12-03

公开（公告）日：2024-12-31

公开（公告）号：CN119224522A

专利技术分类：.单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）[2020.01]

专利摘要：本发明提供一种基于开通过程栅极电流信号的IGBT缺陷检测方法及装置，包括基于IGBT开通过程栅极电流信号，获取IGBT实际工作时目标阶段电流波形；根据所述IGBT实际工作时目标阶段电流波形，计算得到IGBT实际工作时目标阶段栅极电容充电电荷量；根据所述IGBT实际工作时目标阶段栅极电容充电电荷量，分析判断当前IGBT是否存在栅射极回路缺陷。本发明通过IGBT开通过程栅极电流波形分析栅极充电电荷量的变化，进而判断IGBT是否发生了栅射极回路缺陷，提高了检测效率。在IGBT存在缺陷时，采用本发明的技术方案还可以知道IGBT具体存在缺陷的封装芯片数量，可以实现定量检测。

专利权项：1.一种基于开通过程栅极电流信号的IGBT缺陷检测方法，其特征在于，包括：基于待测换流回路中IGBT开通过程栅极电流信号，获取所述IGBT实际工作时目标阶段电流波形；所述换流回路还包括直流母线电容、续流二极管、负载电感、栅极开通电阻、栅极关断电阻；IGBT的集电极连接IGBT集电极侧寄生电感第一端，IGBT集电极侧寄生电感第二端分别连接续流二极管回路寄生电感第一端、负载电感第二端，续流二极管回路寄生电感第二端连接续流二极管寄生电感第一端，续流二极管寄生电感第二端连接续流二极管第一端，续流二极管第二端分别连接负载电感第一端和IGBT回路寄生电感第一端，IGBT回路寄生电感第二端连接直流母线电容第一端，直流母线电容第二端分别连接IGBT发射极侧寄生电感第一端、栅极开通电阻第二端、栅极关断电阻第二端，IGBT发射极侧寄生电感第二端连接IGBT发射极，IGBT栅极分别连接栅极开通电阻第一端、栅极关断电阻第一端；根据所述IGBT实际工作时目标阶段电流波形，计算得到所述IGBT实际工作时目标阶段栅极电容充电电荷量；根据所述IGBT实际工作时目标阶段栅极电容充电电荷量，分析判断待测换流回路中IGBT是否存在栅射极回路缺陷，所述栅射极回路缺陷包括栅极缺陷和发射极缺陷。

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