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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
申请日：2012-01-23
公开（公告）日：2013-01-02
公开（公告）号：CN102859698A
专利技术分类：.....受场效应控制的[2006.01]
专利摘要：一种IGBT，包括：设置在碳化硅半导体层（3）中的沟槽（16），设置在碳化硅半导体层（3）中的第一导电类型的体区（4）；和至少覆盖沟槽（16）的侧壁表面（16a）的绝缘膜（91），沟槽（16）的侧壁表面（16a）是相对于{0001}面具有50°或更大65°或更小的偏离角的表面，沟槽（16）的侧壁表面（16a）包括体区（4）的表面，绝缘膜（91）与至少沟槽（16）的侧壁表面（16a）上的体区（4）的表面接触，并且体区（4）中的第一导电类型杂质浓度为5×1016cm-3或更大。
专利权项：一种IGBT，包括：第一导电类型的碳化硅衬底（1）；第二导电类型的碳化硅半导体层（3），所述碳化硅半导体层（3）设置在所述碳化硅衬底（1）的主表面上；沟槽（16），所述沟槽（16）设置在所述碳化硅半导体层（3）中；第一导电类型的体区（4），所述体区（4）设置在所述碳化硅半导体层（3）中；和绝缘膜（91），所述绝缘膜（91）覆盖至少所述沟槽（16）的侧壁表面（16a），所述沟槽（16）的所述侧壁表面（16a）是相对于{0001}面具有50°或更大65°或更小的偏离角的表面，所述沟槽（16）的侧壁表面（16a）包括所述体区（4）的表面，所述绝缘膜（91）与至少所述沟槽（16）的所述侧壁表面（16a）处的所述体区（4）的所述表面接触，并且所述体区（4）中的第一导电类型杂质浓度为5×1016cm‑3或更大。
百度查询： 住友电气工业株式会社 IGBT
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