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  • 本发明涉及电极制造系统、电极制造方法及借此制造的电极。电极制造系统包括加热单元,其设置在干燥器单元下游,以在高温下加热电极基材,并且在加热工艺期间改变电极基材中的PVdF粘结剂的晶相,因此电极的粘附性增强并且能够防止电极活性材料层的分离。
  • 一种测定方法,其是对试样中的被测定物质的量进行定量的测定方法,所述测定方法包括:信号测定工序,其中通过免疫学测定法得到所述试样的信号测定值,所述免疫学测定法包括对捕捉有所述被测定物质的固相进行清洗的清洗工序;以及定量工序,其中使用由包含已知...
  • 一种多通道荧光成像系统、内窥镜成像系统和内窥镜成像方法。多通道荧光成像系统(100)包括光源组件(110)、光传输组件(120)、成像组件(130)、图像处理器(140)和显示器(150)。光源组件(110)用于同时输出至少两种荧光染料各自...
  • 提供了一种用于在半导体晶片上制造发光台面结构的方法(100),每个台面结构包括第一掺杂层、第二掺杂层、以及在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的发光层。所述方法包括以下步骤:提供(101)用于指定所述台面结构的侧壁的形状的第一掩模;根据所述...
  • 用于在熔炉中加热工艺流体的方法和装置。熔炉的燃料是烃或氢。燃料可被送到不同的熔炉或在不同的时间被送到相同的熔炉。被配置为接收两种类型的燃料的熔炉可具有不同的排气路径。用于烃燃料烟道气的排气路径包括碳捕集处理区。
  • 本发明提供一种能够以低温除去颗粒内包含的疏水性溶剂的中空颗粒。本发明提供一种中空颗粒,其具有包含树脂的壳和被该壳包围的中空部,体积平均粒径Dv为1.0μm以上且30.0μm以下,在颗粒内部仅具有一个上述中空部,实测BET比表面积SA(m)相...
  • 提供用于头戴式装置的系统、装置和方法。在一些示例中,一种头戴式装置,其包括:框架,该框架具有可调整的至少一个臂;至少一个显示器,该至少一个显示器耦合在至少一个臂的邻近边缘处;电子系统,该电子系统耦合在该至少一个臂的另一邻近边缘处;数据处理单...
  • 提供了屈他维林或其盐和苯二氮
  • 安装于用于容纳电子设备的外装体的锁定机构(10)具备闩锁(20)以及缓冲器(30)。闩锁(20)具有具备主面(22)的第1平板(21)以及第1突起(23)。第1突起(23)从第1平板(21)向主面(22)所面向的一侧突出。缓冲器(30)具有...
  • 提供了一种安装部件、包括该安装部件的套件以及使用方法,该安装部件用于将外科规程元件连接到另一元件,具有改进的易用性。该安装部件包括:安装主体,该安装主体提供在另一元件的端部处或外科规程元件的端部处;其中:安装主体具有第一端和第二端,安装主体...
  • 二次电池包括正极板(6)、负极板(8)、多孔性的隔板(10)以及非水电解质,充电时锂金属在负极板(8)上析出,放电时锂金属溶解于非水电解质。二次电池包括间隔件(36)以及低空隙部(38),间隔件(36)介于负极板(8)和正极板(6)的至少一...
  • 本发明涉及一种电互连构件(1),其配置为将属于机械部件(100)的印刷电路板(200)电连接到电气设备(400),该印刷电路板(200)包括输出走线(300),所述电互连构件(1)包括:配置为固定到机械部件(100)的接触表面,与该接触表面...
  • 一种固体锂二次电池用正极活性物质,其是固体锂二次电池用正极活性物质,其中,上述固体锂二次电池用正极活性物质具备具有层状晶体结构的锂金属复合氧化物和被覆上述锂金属复合氧化物的至少一部分的被覆物,上述被覆物包含元素A,上述元素A为选自由Nb、T...
  • 本发明提供了光生成系统(1000),其包括第一光生成设备(110)、发光体(200)、一个或多个导热体(510)、以及一个或多个光学元件(400);其中:(A)第一光生成设备(110)被配置为生成第一设备光(111),其中第一光生成设备(1...
  • 本发明涉及一种橡胶组合物,所述橡胶组合物包含可交联的聚合物基料、包含二氧化硅的填料和硫化体系,其特征在于,所述橡胶组合物还包含偶极矩至少高于2德拜的化合物,其中所述偶极矩通过DFT模拟计算,并且特征在于,所述化合物包含一个以上的极性官能团和...
  • 电子设备(200)包括限定开口(216a)的外壳、设置在该外壳内的扬声器舱盒(213),该扬声器舱盒(213)限定被构造成与该开口(216a)对准的端口(216b)。该扬声器舱盒(213)包括与第一通道(250)流体连通的第一扬声器(230...
  • 本发明涉及用于将晶片等基板按压于研磨带的研磨头。另外,本发明涉及用于通过这样的研磨头研磨基板的研磨装置。研磨头(10)具备:按压机构(12),将研磨带(2)按压于基板(W);及带钩(40),限制研磨带(2)的缘部向着基板(W)的方向移动,带...
  • 描述了一种染色设备(10),该染色设备设置有单个罐(12),该罐包括:侧壁(14);底壁(16),该底壁具有凸形外表面;第一内部间隔壁(18)和第二内部间隔壁(20),其限界出染色隔室(26)并且分别限定出第一中间空间(28)和第二中间空间...
  • 本文描述了具有III‑N耗尽层的横向III‑N(例如,GaN)器件。一种电路包括耗尽模式晶体管,其中源极连接到增强模式晶体管的漏极。耗尽模式晶体管的栅极和增强模式晶体管的栅极被偏置在零伏,并且耗尽模式晶体管的漏极被偏置在正电压以阻挡正向方向...
  • 一种聚碳酸酯二醇的制造方法,其包括下述工序:使用二羟基化合物和碳酸酯作为原料单体,在酯交换催化剂的存在下,通过酯交换反应使其缩聚而得到聚碳酸酯二醇;该酯交换催化剂包含酯交换催化剂A1和酯交换催化剂A2,所述酯交换催化剂A1含有选自由长周期型...
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