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最新专利技术
  • 显示面板
    显示面板_三星显示有限公司_202410277359.7
    提供了显示面板。显示面板包括发光部分，发光部分包括阳极、阴极和布置在阳极与阴极之间并且发射光的有机层。显示面板还包括电连接到发光部分并且包括第一晶体管的像素驱动器、布置在与第一晶体管不同的层上并且电连接发光部分和像素驱动器的连接线以及布置在...
    2024-11-20
  • 发光器件
    发光器件_三星显示有限公司_202410278053.3
    提供了发光器件。发光器件包括作为反射电极的第一电极、设置在第一电极上的第一电子传输层、设置在第一电子传输层上的第二电子传输层、设置在第二电子传输层上的发射层、以及定位在发射层上并且作为透反射电极的第二电极，其中第一电子传输层和第二电子传输层...
    2024-11-20
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_罗姆股份有限公司_202410277490.3
    本揭示涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。谋求提高半导体装置的耐压。半导体装置具备：栅极沟槽；场板电极及栅极电极，形成于栅极沟槽内；及绝缘层，将场板电极及栅极电极互相分隔。半导体层包含n型漂移区域、及形成于漂移区域上的p型主体区域。绝...
    2024-11-20
  • 电感器
    电感器_TDK株式会社_202410278363.5
    本发明的电感器具备：素体，其具有相互相对的一对端面、和以将一对端面间连接的方式在一对端面的相对方向上延伸的侧面；以及贯通导体，其配置于素体内，在相对方向上延伸。素体包含：从相对方向观察时包围贯通导体的第一部分、和位于比第一部分更靠外侧的第二...
    2024-11-20
  • 非易失性存储器及其相关控制方法
    非易失性存储器及其相关控制方法_力旺电子股份有限公司_202410278184.1
    一种非易失性存储器及其相关控制方法。在非易失性存储器致能后，判断非易失性存储器是否进入一读取模式、一编程模式或者一抹除模式。在确认非易失性存储器进入读取模式、编程模式或者抹除模式时，搜寻非易失性存储器内多个参考存储器胞中的一最糟临限电压。根...
    2024-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_蓝碧石科技株式会社_202410278911.4
    一种半导体装置，即使在环境温度或元件温度成为高温的情况下，也能够接受双极晶体管的放大率偏差，抑制输出电压的变动的同时应对宽负载范围，其具有：输出端子，输出输出电压；双极晶体管，输出集电极电流至输出节点；偏置电流生成部，包括：第一节点、第一恒...
    2024-11-20
  • 纺纱机
    纺纱机_村田机械株式会社_202410277192.4
    纺纱机包括：纺纱部，通过对纤维束进行纺纱而生成纱线，并能够供给纱线；牵伸部，对纤维束进行牵伸；卷绕部，对纱线进行卷绕而形成卷装；检测部，设置在纱线的行进方向上的纺纱部与卷绕部之间，对行进的纱线进行检测，获取表示该纱线的各部分的状态的纱线信息...
    2024-11-20
  • 像素结构及像素结构的制作方法
    像素结构及像素结构的制作方法_川奇光电科技(扬州)有限公司_202410183142.X
    本发明提供一种像素结构包括基板、主动元件、平坦层、像素电极以及图案化保护层。主动元件配置于基板上。平坦层配置于基板上，且覆盖主动元件。像素电极配置于平坦层上，且电性连接主动元件。图案化保护层配置于平坦层上，侧向围绕像素电极，且图案化保护层与...
    2024-11-20
  • 半导体结构
    半导体结构_川奇光电科技(扬州)有限公司_202410183145.3
    本发明提供一种半导体结构，包括栅极、主动层、闸绝缘层、源极及漏极。主动层具有源极区、漏极区以及通道区。半导体结构至少满足以下条件其中之一：(1)主动层的材质包括非晶硅，且于源极区的主动层的第一厚度及于漏极区的主动层的第二厚度分别大于于通道区...
    2024-11-20
  • 显示装置及显示装置的驱动方法
    显示装置及显示装置的驱动方法_川奇光电科技(扬州)有限公司_202410183144.9
    本发明提供一种显示装置及显示装置的驱动方法。显示装置包括显示面板以及驱动电路。显示面板用以显示图像画面。驱动电路耦接到显示面板。驱动电路在驱动期间用以输出栅极信号驱动显示面板显示图像画面。驱动期间包括第一期间、第二期间及第三期间。栅极信号在...
    2024-11-20
  • 学习装置、学习方法及存储介质
    学习装置、学习方法及存储介质_本田技研工业株式会社_202410186370.2
    提供能恰当执行进行多种产品的性能预测的机器学习模型的生成及验证的学习装置、学习方法及存储介质。学习装置具备：分类部，将产品数据按每个规定的分类进行分类而生成学习原始数据，产品数据包含作为表示产品的材料或设计事项的说明变量与表示产品的性能的目...
    2024-11-20
  • 非接触电力传送系统
    非接触电力传送系统_本田技研工业株式会社_202410194475.2
    本发明提供能够抑制由受电侧的温度的变动引起的输出降低及损失增大的非接触电力传送系统。非接触电力传送系统(1)具备受电装置(4)和控制装置(17)。受电装置(4)获取从送电装置(2)以非接触的方式传送的交流电力。控制装置(17)具备：取得受电...
    2024-11-20
  • 半导体装置的制造方法、及半导体装置
    半导体装置的制造方法、及半导体装置_铠侠股份有限公司_202410191854.6
    本发明提供能够适当进行衬底接合后的分离的半导体装置的制造方法、及半导体装置。一实施方式的半导体装置的制造方法包含：在第1衬底积层第1膜，在第2衬底积层第2膜、第3膜、第4膜。半导体装置的制造方法包含：将第1膜的与第1衬底相反之侧的主面与第4...
    2024-11-20
  • 集成电路
    集成电路_三星电子株式会社_202410191657.4
    公开了集成电路。所述集成电路包括：基底；位单元阵列，包括在基底上的位单元；正面布线层，相对于基底的正面沿垂直方向位于基底上方，正面布线层包括连接到位单元的局部字线；行解码器，被配置为提供用于驱动位单元阵列的字线信号；背面布线层，在基底的背面...
    2024-11-20
  • 显示装置和用于驱动显示装置的方法
    显示装置和用于驱动显示装置的方法_三星显示有限公司_202410190544.2
    提供了显示装置和用于驱动显示装置的方法。显示装置包括包含像素的显示面板、将电力电压提供到显示面板的电力电压生成器、感测显示面板的电力电流并且通过对感测到的电力电流进行模数转换来生成电力电流代码的电力电流传感器、以及基于峰值白亮度来确定电力电...
    2024-11-20
  • 具叉型片晶体管的反熔丝型一次编程存储器
    具叉型片晶体管的反熔丝型一次编程存储器_力旺电子股份有限公司_202410197371.7
    本发明公开一种具叉型片晶体管的反熔丝型一次编程存储器，具有一第一存储单元。第一存储单元至少包括一反熔丝晶体管。反熔丝晶体管为叉型片晶体管，且反熔丝晶体管包括：一第一纳米线、一第一栅极结构、一第一漏/源结构与一第二漏/源结构。第一纳米线的一第...
    2024-11-20
  • 非接触电力传送系统
    非接触电力传送系统_本田技研工业株式会社_202410199460.5
    本发明提供能够通过受电侧的独立的通信控制及电力控制来进行恰当的电力传送的非接触电力传送系统。非接触电力传送系统(1)具备受电装置(4)和控制装置(17)。受电装置(4)与送电装置(2)之间授受以非接触的方式传送的电力。控制装置(17)在送电...
    2024-11-20
  • 一种热熔胶及其制备方法
    一种热熔胶及其制备方法_陕西煤业化工技术研究院有限责任公司_202410200886.8
    本发明涉及高分子材料，尤其涉及一种热熔胶及其制备方法。本发明提供的热熔胶由原料物反应制成，所述原料物包括软段单体、硬段单体和扩链剂；所述软段单体为聚四氢呋喃二醇、聚己内酯二醇、双端羟基聚乙二醇、双端羟基聚丙二醇、双端羟基聚二甲基硅氧烷；所述...
    2024-11-20
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202410201400.2
    本发明提供可抑制因触点与柱的接触所导致的触点形成不良的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。所述装置具备：积层体，具有交替积层的多个导电层与多个第1绝缘层且包含第1、2区域；1个以上的第1柱，在第1区域内在积层体的积层方向延伸；及第2柱...
    2024-11-20
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202410201369.2
    本发明提供一种能够实现电气特性提高的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。所述装置具有第1积层体、第1分离部、第2积层体、第3积层体及位线。第1积层体中，多个第1绝缘膜与多个第1导电膜在第1方向交替地积层。第1分离部在与第1方向交叉的第...
    2024-11-20
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