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申请/专利权人：深圳大学
摘要：本发明提供了一种PtSe2CsPbI3异质结光电探测器，包括硅基底以及设置于所述硅基底上的二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上设有二硒化铂层，所述二硒化铂层上设有CsPbI3钙钛矿量子点层；所述二硒化铂层上还设有对电极，所述对电极设于CsPbI3钙钛矿量子点层的两侧。本发明还提供了PtSe2CsPbI3异质结光电探测器的制备方法和应用。本发明PtSe2CsPbI3异质结光电探测器利用二硒化铂的高迁移率弥补钙钛矿量子点光电探测器响应慢的缺陷，同时钙钛矿量子点的高光吸收效率也弥补了二硒化铂光吸收率低的问题，通过将二硒化铂与钙钛矿量子点的互补作用，优化了PtSe2CsPbI3异质结光电探测器的导电性和光响应特性。
主权项：1.一种PtSe2CsPbI3异质结光电探测器，其特征在于，包括硅基底以及设置于所述硅基底上的二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上设有二硒化铂层，所述二硒化铂层上设有CsPbI3钙钛矿量子点层；所述二硒化铂层上还设有对电极，所述对电极设于CsPbI3钙钛矿量子点层的两侧；所述二硒化铂层的厚度为1～20nm，所述CsPbI3钙钛矿量子点层的厚度为10～100nm；所述二氧化硅绝缘层上设有呈阵列布置的二硒化铂层、CsPbI3钙钛矿量子点层以及电极，形成阵列型PtSe2CsPbI3异质结光电探测器；所述对电极为CrAu电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 一种PtSe2/CsPbI3异质结光电探测器及其制备方法和应用
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