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摘要：本发明提供一种改善背面金属格栅Q‑time的方法，方法包括：提供一半导体结构，半导体结构包括其背面形成有氧化层的衬底、形成于氧化层表面的金属层、形成于金属层表面的第一硬掩膜层及形成于第一掩膜层表面的第二硬掩膜层；通过第一刻蚀工艺图案化刻蚀第二硬掩膜层形成第一沟槽；以图案化刻蚀后的第二硬掩膜层为掩膜，通过第二刻蚀工艺于第一沟槽处刻蚀第一硬掩膜层形成第二沟槽，并保留预设厚度的第一硬掩膜层；通过第三刻蚀工艺于第二沟槽处刻蚀所保留的预设厚度的第一硬掩膜层及其下方的金属层以形成金属格栅。通过本发明解决了现有的背面金属格栅Q‑time较短的问题。
主权项：1.一种改善背面金属格栅Q-time的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括其背面形成有氧化层的衬底、形成于所述氧化层表面的金属层、形成于所述金属层表面的第一硬掩膜层及形成于所述第一掩膜层表面的第二硬掩膜层；通过第一刻蚀工艺图案化刻蚀所述第二硬掩膜层形成第一沟槽；以图案化刻蚀后的所述第二硬掩膜层为掩膜，通过第二刻蚀工艺于所述第一沟槽处刻蚀所述第一硬掩膜层形成第二沟槽，并保留预设厚度的所述第一硬掩膜层；通过第三刻蚀工艺于所述第二沟槽处刻蚀所保留的预设厚度的所述第一硬掩膜层及其下方的所述金属层以形成金属格栅。
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百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善背面金属格栅Q-time的方法
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