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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明提供一种氮化物外延片及其制备方法，能够提高外延层晶体质量。所述氮化物外延片的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在衬底上周期性重复循环交替生长的氮化物前插入层和氮化物后插入层；继续生长氮化物隔离层；继续生长氮化物外延层；所述生长氮化物前插入层和氮化物后插入层步骤进一步包括：在H2氛围下，通入金属源和N源，生长氮化物前插入层；在N2氛围下，将金属源和N源流量比设置为递增，生长N空位富集的氮化物后插入层；在H2氛围下，通入金属源和N源，生长氮化物隔离层。本发明克服了直接在外延生长，尤其是同质衬底外延生长时因衬底表面大量的损伤及缺陷造成的衬底附近的外延层晶体质量较差的问题。
主权项：1.一种氮化物外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；在衬底上周期性重复循环交替生长的氮化物前插入层和氮化物后插入层；继续生长氮化物隔离层；继续生长氮化物外延层；所述生长氮化物前插入层和氮化物后插入层步骤进一步包括：在H2氛围下，通入金属源和N源，生长氮化物前插入层；在N2氛围下，将金属源和N源流量比设置为递增，生长N空位富集的氮化物后插入层；在H2氛围下，通入金属源和N源，生长氮化物隔离层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 氮化物外延片及其制备方法
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