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申请/专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司

摘要：本申请提供了一种高功率密度IGZO薄膜晶体管及其制造方法，包括如下步骤：在基板上形成支撑层，在支撑上形成栅电极层，在栅电极层上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成低阻有源层，在低阻有源层上形成IGZO有源层，在IGZO有源层上形成源区电极层、漏区电极层，其中源区电极层位于IGZO有源层上方一侧，与栅电极层在水平方向上存在交叠，漏区电极层位于IGZO有源层上方的另一侧，与栅电极在水平方向上存在非交叠区域，形成漏极偏移区，并分别在低阻有源层和IGZO有源层中形成低阻漂移区和IGZO漂移区，钝化层覆盖于IGZO有源层、源区电极层和漏区电极层上方；与现有技术相比，本申请有效降低漂移区电阻，优化电流密度，取得了对IGZO薄膜晶体管功率密度的显著提升。

主权项：1.一种高功率密度IGZO薄膜晶体管，其特征在于：包括基板（1）、支撑层（2）、栅电极层（3）、栅绝缘层（4）、低阻有源层（5）、IGZO有源层（6）、源区电极层（7a）、漏区电极层（7b）、钝化层（8）；所述支撑层（2）位于基板（1）上侧，所述栅电极层（3）设于支撑层（2）上侧中间位置，所述栅电极层（3）厚度为80nm-150nm；所述栅绝缘层（4）设于支撑层（2）上侧，并覆盖栅电极层（3）上表面，所述低阻有源层（5）位于栅绝缘层（4）上侧，所述低阻有源层（5）包含在水平位置上与所述栅电极层（3）交叠的栅控区以及在水平位置上处于漏极偏移区中非栅控的低阻漂移区，所述栅控区长度为10μm-20μm，且水平方向上与源区电极层（7a）无交叠；所述低阻漂移区长度取决于所述漏极偏移区长度，借助低阻有源层（5）的设计，改善现有漂移区结构的高阻特性；所述IGZO有源层（6）形成于低阻有源层（5）上侧，完全覆盖且交叠在所述低阻有源层（5）的上表面；所述源区电极层（7a）位于IGZO有源层（6）上表面的左端，所述漏区电极层（7b）位于IGZO有源层（6）上表面的右端，所述源区电极层（7a）与漏区电极层（7b）之间相隔一定距离，所述栅电极层（3）与所述源区电极层（7a）在水平位置上存在交叠区，该交叠区长度不小于0.5μm，所述栅电极层与漏区电极层（7b）在水平位置上存在非交叠区域，该非交叠区域作为漏极偏移区，其长度不小于0.1μm，所述钝化层（8）覆盖于源区电极层（7a）、漏区电极层（7b）以及IGZO有源层（6）上表面；所述钝化层（8）的材质为氮化硅，所述钝化层（8）的厚度在200nm-300nm之间，以隔绝背沟道与外界环境的接触，提高IGZO薄膜晶体管的可靠性。

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