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申请/专利权人：武汉工程大学
摘要：本发明涉及陶瓷材料制备技术领域，具体涉及一种激光辅助CVD制备RE‑Si‑O多孔薄膜的方法。该方法利用激光增强化学气相沉积法制备出多孔的RE‑Si‑O薄膜，利用具有铁磁性的RE元素的引入，以及CVD反应腔内气体分子的运动碰撞，形成质地疏松的RE‑Si‑O共晶结构多孔薄膜。与传统制备多孔陶瓷的方法相比，该方法不仅可以降低沉积温度，提高沉积速率，改善杂相和缺陷获得高均匀性的薄膜，并且可以通过调节压强等参数，改变RE‑Si‑O多孔薄膜的孔隙率，有效提升RE‑Si‑O多孔薄膜不同等级的渗透性、抗热、抗侵蚀性能。
主权项：1.一种激光辅助化学气相沉积法制备RE-Si-O多孔薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S100：用载流气将RE反应前驱体蒸气、Si反应前驱体蒸气以及反应气送入反应腔体内；步骤S200：在加热作用下，所述反应前驱体蒸气中RE和Si的前驱体蒸气分子解离变成RE、Si活性离子或离子团，通过扩散到达衬底表面；所述衬底与RE-Si-O多孔薄膜材料具有相匹配的晶格取向和热膨胀系数；步骤S300：RE、Si活性离子或离子团在激光照射下获得能量，以提高反应活性，与所述反应气反应形成RE-Si-O共晶结构，生成的RE-Si-O固态产物沉积在所述衬底表面，晶核持续长大聚集形成RE-Si-O多孔薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉工程大学 一种激光辅助CVD制备RE-Si-O多孔薄膜的方法
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