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申请/专利权人:广东新鸿高科技术有限公司
摘要:本实用新型涉及化学气相沉积设备技术领域,一种CVD生长基台自动升降结构,包括底座,其具有垂向贯通其中部的安装通道;锥台,其具有垂向贯通其中部的滑槽,所述锥台安装在底座的顶面,且滑槽和所述安装通道相对;基板组件,其安装在滑槽中,且基本组件可沿滑槽垂向滑动。本升降结构可以更好的控制等离子体与基片台的距离,能提高生长的品质以及效率。
主权项:1.一种CVD生长基台自动升降结构,其特征在于:包括底座,其具有垂向贯通其中部的安装通道;锥台,其具有垂向贯通其中部的滑槽,所述锥台安装在底座的顶面,且滑槽和所述安装通道相对;基板组件,其安装在滑槽中,且基本组件可沿滑槽垂向滑动。
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