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申请/专利权人：广东芯粤能半导体有限公司
摘要：本申请涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法，包括：衬底，超结外延结构层位于衬底上，鳍部结构层位于超结外延结构层远离衬底一侧，鳍部结构层包括多个鳍部结构、多个第一掺杂区和多个体区，各鳍部结构沿第一方向延伸，并在第二方向上间隔排布，各第一掺杂区沿第一方向间隔排布，并沿第二方向延伸，第一掺杂区贯穿鳍部结构，各体区分别与各第一掺杂区对应接触设置，且围绕部分第一掺杂区设置，栅导电层位于鳍部结构层上，并暴露出鳍部结构的顶面的部分第一掺杂区，隔离层覆盖栅导电层和暴露出的鳍部结构的顶面的部分第一掺杂区，从而增加了沟道宽度，降低了沟道电阻，进而降低了比导通电阻。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；超结外延结构层，位于所述衬底上；鳍部结构层，位于所述超结外延结构层远离所述衬底一侧，所述鳍部结构层包括多个鳍部结构、多个第一掺杂区和多个体区，各所述鳍部结构沿第一方向延伸，并在第二方向上间隔排布；各所述第一掺杂区沿所述第一方向间隔排布，并沿所述第二方向延伸，所述第一掺杂区贯穿所述鳍部结构；各所述体区分别与各所述第一掺杂区对应接触设置，且围绕部分所述第一掺杂区设置；栅导电层，位于所述鳍部结构层上，并暴露出所述鳍部结构的顶面的部分第一掺杂区；隔离层，覆盖所述栅导电层和暴露出的所述鳍部结构的顶面的部分第一掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东芯粤能半导体有限公司 半导体结构及半导体结构的制备方法
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