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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：本发明的技术方案提供一种半导体器件及其形成方法、半导体结构，其中半导体器件包括：基底；位于基底上的屏蔽层，屏蔽层与基底电连接，屏蔽层包括多个间隔排布的同心导电环，导电环包括沿着第一方向对称分布的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有隔离开口；位于基底上的接地环，接地环环绕屏蔽层；位于屏蔽层上的接地线，接地线包括沿着第二方向延伸的第一接地线和沿着第一方向延伸的第二接地线，第一接地线的中心与第二接地线的中心连接，第一接地线电连接多个导电环以及电连接同层的接地环，第一方向和第二方向不同，满足射频集成电路的工艺需求。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的屏蔽层，所述屏蔽层与所述基底电连接，所述屏蔽层包括多个间隔排布的同心导电环，所述导电环包括沿着第一方向对称分布的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间具有隔离开口；位于所述基底上的接地环，所述接地环环绕所述屏蔽层；位于所述屏蔽层上的接地线，所述接地线包括沿着第二方向延伸的第一接地线和沿着所述第一方向延伸的第二接地线，所述第一接地线的中心与所述第二接地线的中心连接，所述第一接地线电连接多个所述导电环以及电连接同层的所述接地环，所述第一方向和所述第二方向不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及形成方法、半导体结构
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