买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:安徽格恩半导体有限公司
摘要:本发明提供一种具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法,n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层依次层叠设置在N电极上,P型电子阻挡层的上表面凸出设置有脊条,脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触电极层;第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面,位于脊条的两侧,第二钝化层置于第一钝化层上表面;第二钝化层上开设有凹槽,凹槽包括相通的竖槽和横槽,横槽内设置有第一金属层,在第二钝化层的上表面及脊条上设有P电极,P电极具有与竖槽相对应的凸起部,竖槽的横截面积小于横槽的横截面积。其降低了电极结构的应力,提高了金属电极与钝化层的附着力,改善散热性能。
主权项:1.一种具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构,其特征在于,包括N电极101、n型GaN衬底102、N覆盖层103、N波导层104、发光活性层105、P波导层106、P型电子阻挡层107和钝化层108;所述n型GaN衬底102、N覆盖层103、N波导层104、发光活性层105、P波导层106、P型电子阻挡层107依次层叠设置在所述N电极101上,所述P型电子阻挡层107的上表面凸出设置有脊条,所述脊条具有顶面和侧面,所述脊条包括P覆盖层110和依次叠设在所述P覆盖层110上的P接触层111、P接触电极层112;所述钝化层108包括第一钝化层1081和第二钝化层1082,所述第一钝化层1081和第二钝化层1082均为SiO2层,所述第一钝化层1081设置在所述P型电子阻挡层107的上表面,位于所述脊条的两侧,所述第二钝化层1082置于所述第一钝化层1081的上表面;所述第二钝化层1082上开设有凹槽,所述凹槽包括相通的竖槽10821和横槽10822,所述横槽内设置有第一金属层113,在所述第二钝化层1082的上表面及所述脊条上设置有作为P电极109的第二金属层,所述P电极109具有与所述竖槽10821相对应的凸起部1091,所述竖槽10821的横截面积小于所述横槽10822的横截面积。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 安徽格恩半导体有限公司 具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。