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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提供一种具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法，n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层依次层叠设置在N电极上，P型电子阻挡层的上表面凸出设置有脊条，脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触电极层；第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面，位于脊条的两侧，第二钝化层置于第一钝化层上表面；第二钝化层上开设有凹槽，凹槽包括相通的竖槽和横槽，横槽内设置有第一金属层，在第二钝化层的上表面及脊条上设有P电极，P电极具有与竖槽相对应的凸起部，竖槽的横截面积小于横槽的横截面积。其降低了电极结构的应力，提高了金属电极与钝化层的附着力，改善散热性能。
主权项：1.一种具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构，其特征在于，包括N电极101、n型GaN衬底102、N覆盖层103、N波导层104、发光活性层105、P波导层106、P型电子阻挡层107和钝化层108；所述n型GaN衬底102、N覆盖层103、N波导层104、发光活性层105、P波导层106、P型电子阻挡层107依次层叠设置在所述N电极101上，所述P型电子阻挡层107的上表面凸出设置有脊条，所述脊条具有顶面和侧面，所述脊条包括P覆盖层110和依次叠设在所述P覆盖层110上的P接触层111、P接触电极层112；所述钝化层108包括第一钝化层1081和第二钝化层1082，所述第一钝化层1081和第二钝化层1082均为SiO2层，所述第一钝化层1081设置在所述P型电子阻挡层107的上表面，位于所述脊条的两侧，所述第二钝化层1082置于所述第一钝化层1081的上表面；所述第二钝化层1082上开设有凹槽，所述凹槽包括相通的竖槽10821和横槽10822，所述横槽内设置有第一金属层113，在所述第二钝化层1082的上表面及所述脊条上设置有作为P电极109的第二金属层，所述P电极109具有与所述竖槽10821相对应的凸起部1091，所述竖槽10821的横截面积小于所述横槽10822的横截面积。
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权利要求：
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